ترجمه مقاله تقویت کننده شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS

• عنوان انگلیسی مقاله: A CMOS Inverter-Based Class-AB Pseudo Differential Amplifier for HF Applications
• عنوان فارسی مقاله: تقویت کننده شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF.
• دسته: برق و الکترونیک
• فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)
• تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 13
• دانلود رایگان نسخه اصلی مقاله

چکیده ترجمه

این مقاله یک تقویت کننده شبه- تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF، با استفاده از مدار ساده rail-to-rail CMFB را ارایه می دهد. مدار ارایه شده، دارای دو اینورتر CMOS و فیدبک حالت-مشترک مکمل (CMFB) _که خود متشکل از آشکارساز حالت-مشترک حالت جریان و تقویت کننده های ترنز-امپدانسی (transimpedance)، بوده_ می باشد. این مدار با استفاده از فناوری CMOS 0.18 نانومتری تحت ولتاژ منبع 1 ولت، طراحی شده است، و نتایج شبیه سازی نشان می دهند که نوسان خروجی rail to rail با استفاده از گین حالت-مشترک پایین (-15 dB)، بدست می آید. نوسان خروجی مدار 0.7 v می باشد. تلفات توان مدار 0.96 میکرووات می باشد.

کلیدواژه

تقویت کننده شبه تفاضلی، و فیدبک حالت-مشترک، کلاس-AB، اینورتر CMOS

مقدمه

امروزه، یک مدار آنالوگ با کارکرد خوب _عمدتا بسبب پیشرفت ساختن مدار مجتمع فراوان با سیستم های مداری پیچیده، و نیاز به وسایل قابل حمل با منبع باطری_ بایسته شده است. اگرچه، کاهش منبع ولتاژ در مدارات آنالوگ باعث کاهش عملکرد زیادی می شود، و بنابراین، ترفندهای تازه ای برای طراحی نیاز است تا مدارات آنالوگ با پهنای باند، بهره، و خطی بودن کافی را بدست آورد.

تقویت کننده هدایت عرضی (OTA)، یکی از پایه ای ترین سلول ها _از آنجایی که OTA کاربرد زیادی در بسیاری از مدارات آنالوگ مانند تقویت کننده عملیاتی، مقایسه گرهای ولتاژ، مبدل های A-D و D-A و فیلترهای فرکانس بالا، دارد_ می باشد. روش های زیادی هم با استفاده از پیکربندی کاملن تفاضلی و هم با استفاده از پیکربندی شبه تفاضلی، برای طراحی OTA ولتاژ پایین [1-4] ارایه شده اند. FD به طور معمول، مبنی بر یک جفت تفاضلی با یک منبع جریان tail است، درحالی که PD مبنی بر دو اینورتر مستقل، بدون منبع جریان tail می باشد

• فرمت: zip
• حجم: 2.00 مگابایت
• شماره ثبت: 411

مقالات مشابه

ترجمه مقاله ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر نیمه هادى

عنوان انگلیسی مقاله: New CMOS Inverter-Based Voltage Multipliers عنوان فارسی مقاله: ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلی جدید. دسته: برق و الکترونیک فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش) تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 15 دانلود رایگان نسخه اصلی مقاله چکیده ترجمه چهار ضرب کننده ولتاژ برمبنای اینورتر CMOS جدید تشکیل شده از ترانزیستورهای عبورPMOS/NMOS، مدارات اینورتر، و خازن ها، در این مقاله ارایه شده اند. ضرب کننده های ولتاژ ارائه شده که عملیات یکسوسازها و پمپ های شارژ را با هم انجام می دهند، بازده تبدیل توان را بالا برده و تعداد مولفه ...

ترجمه مقاله روش کنترل بردار ورودی و جایگزینی گیت ترکیب شده

عنوان انگلیسی مقاله: A Combined Gate Replacement and Input Vector Control Approach for Leakage Current Reduction عنوان فارسی مقاله: روش کنترل بردار ورودی و جایگزینی گیت ترکیب شده، برای کاهش جریان نشتی. دسته: برق و الکترونیک فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش) تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 36 جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید خرید ترجمه مقاله چکیده ترجمه کنترل بردار ورودی(IVC) تکنیک معروفی برای کاهش توان نشتی است. این روش، از اثر پشته های ترانزیستوری در دروازه های منطقی (گیت) CMOS با اعمال مینیمم بردار نشتی(MLV) به ورودی های اولیه مدارات ترکیبی، در ...