افراد تحصیل کرده و شاغل معمولاً علاقه دارند توسعه روش ها و برنامه های کامپیوتری را که با کارهای مهندسی و دانش سر و کار دارند دنبال کنند. مدیریت اشتباه عملیات و زمان های تولید از دست رفته، مشکلات و مسائل بزرگی هستند که بهره وری و کیفیت سیستم های صنعتی و هزینه تولید را تحت تأثیر قرار می دهد. استخراج قوانین وابستگی، یک تکنیک داده کاوی است که برای پیدا کردن اطلاعات مفید و ارزشمند از پایگاه های داده بزرگ استفاده می شود. این مقاله، پایه مفهومی بهتری را برای توسعه برنامه های استخراج قوانین وابستگی ارائه می دهد تا دانش را از عملیات و مدیریت اطلاعات به راحتی استخراج کند. تأکید این مقاله روی بهبود فرایندهای عملیاتی است. یک مثال کاربردی، تجربه صنعتی که استخراج قوانین وابستگی در آن برای تحلیل فرایند تولید استفاده می شود را شرح می دهد. این مقاله برخی نتایج جدید و جالب در رابطه با تکنیک های داده کاوی و کشف دانش که روی فرایند تولید نقش دارد را گزارش می دهد. نتایج تجربی روی داده هایی که در زندگی واقعی نقش دارند نشان می دهد که روش پیشنهادی برای یافتن دانش مرتبط با عملیات نادرست مفید واقع می شود.
کاربردهای مهندسی هوش مصنوعی نظرات محققین و شاغلین حوزه صنعت را به دلیل توانایی آن در یادگیری و درک اصول و حقایق به منظور کسب دانش و به کارگیری آن در عمل به خود جلب کرده است. پیشرفت های مداوم، اشاره به پیشرفت های رو به جلو و غیر منتظره در زمینه عملکرد سازمانی دارد (Linderman, Schroeder, Zaheer, Liedtke, & Choo, 2004). پیشرفت در مسائلی مانند افزایش ارزش مشتری، کاهش خطاها و عیوب، بهره وری بهبود یافته، امنیت عملکرد چرخه زمانی و انگیزش Evans & Lindsay, 2001)). این مورد معمولاً در روش حل تدریجی مسئله رخ می دهد که شامل مراحل ضمنی سازی مسئله، تحلیل مسئله، تعمیم راه حل و یادگیری دروس است (Kamsu-Foguem, Coudert, Geneste, & Beler, 2008). روش حل مسئله، روی توصیف فرایند شناختی در کارهای عقلانی و ملاحظات شناختی که با سرمایه گذاری دانش روی ساختارهای خاص و قدرت بخشی به تعمیم سر و کار دارد تمرکز می کند (Patel, Arocha, &Kaufman, 2001). روش های حل مسئله نقش مهمی را در اکتساب دانش و مهندسی بازی می کند زیرا سطح دانش انتزاعی برای نیل به اهداف با اعمال دانش توسط فرایند تدریجی جستجوی مسیر راه حل بسیار ارزشمند است. از این روش ها می توان برای توصیف فرایند استدلال به صورت ساختاری برای هدایت روند کسب دانش و راحت کردن تقسیم دانش و استفاده مجدد بهره جست (Benjamins & Fensel, 1998).
پایان نامه جهت اخذ درجه کارشناسی
عنوان کامل: مدیریت رفتار سازمانی با نگرش ویژه برIT
دسته: مهندسی کامپیوتر (نرم افزار)
فرمت فایل: WORD (قابل ویرایش)
تعداد صفحات: ١۶٨
فهرست مطالب: جهت مشاهده فهرست مطالب این پایان نامه اینجا کلیک نمایید
بخشی از مقدمه:
شاید برای یک دانشجوی مهندسی که سروکاری با محیط های کاری ندشته و آشنایی با کسب و کارهای امروزی ندارد، اهمیت داشتن آگاهی حداقلی از داستن مدیریت و مهارت های گوناگون آن روشن نباشد. اما برای مهندسی که درگیر کار در سازمانهای کوچک و بزرگ امروزی است اهمیت و لزوم چنین دانشی آشکار است. بدون چنین دانشی یک مهندس برای موفقیت در حرفه خود، کمبود بزرگی خواهد داشت. یک مهندس در دوره عمر خود می تواند از نقش های پایین در سازمان شروع کرده و به رده های بالاتر ارتفا یابد. آنچه مهم است این است که، او در هر دوره ای از سازمان قرار داشته باشد، بشته به رده کاری، به اندازه ای از دانش مدیریت، از یک میزان حداقلی
تا حداکثری نیاز دارد و بدون چنین دانشی در بهره برداری کامل از توانایی های خود نا کام می ماند. در پایین ترین رده ای که یک مهندس در سازمان مشغول کار می شود یعنی در یک پست فنی یا خدماتی صرف، آگاهی داشتن از ساختار سازمان و جایگاه خود در آن و ارتباط وی با دیگر بخش ها، همکاران ومدیریت و همچنین حقوق و وظایف او فرایندهایی که در آن درگیر است به درک بهتر وی و درنتیجه عملکرد بهتر کمک می کند. در پست های بالاتر یعنی زمانی که یک مهندس با تجربه به پست های نظارتی یا مدیریتی ارتقاء پیدا می کند و بر کار مهندسان دیگر یا مجموعه بزرگتر از سایر کارکنان سازمان نظارت یا مدیریت می کند. در پست های بالاتر یعنی زمانی که یک مهندس با تجربه به پست های نظارتی یا مدیریتی ارتفاء پیدا میکند و بر کار مهندسان دیگر یا مجموعه بزرگتر از سایر کارکنان سازمان نطارت یا مدیریت می کند، لزوم داشتن دانش مدیریت روشن تر است. بدون داشتن مهارتهای مدیریتی، مهندسی که تنها آموزش فنی دیده است قادر به انجام موفقیت آمیز چنین وظایفی نخواهد بود.
یک الگوریتم آرایشی به نام Genie برای تخصیص مدول ها (modules) به مکان های موجود برروی قطعات ارائه می شود. Genie نوعی تطابق و انطباق تکنیک الگوریتم ژنتیکی است که درگذشته به عنوان ابزار جامعه هوش مصنوعی مورد استفاده بوده است. این تکنیک به نوعی به عنوان پارادایم آزمایش و بررسی فضای وضعیت محسوب می شود. این تکنیک با ملاحظه هم زمان و دستکاری مجموعه ای از جواب ها، به جواب های خود دست میابد. به عنوان مثال، راه ها جهت تولید و ایجاد راه حل های ‘ فرزندان، با هم در جفت گیری ‘ می کند. Genie در بسیاری از نمونه های آزمایشی کوچک به طور گسترده به آن ها پرداخته شده است. راه حل های مشاهده شده آن کاملاً خوب و در چند نمونه به صورت مطلوب بوده اند.
آرایش، الگوریتم های ژنتیکی، VLSI، طرح فیزیکی
Layout problem مشکل اصلی در طراحی قطعه های VLSI است. به دلیل پیچیدگی که دارد غالباً به چند مشکل فرعی مجزا تجزیه می شود:
در این مقاله به بررسی مشکل آرایش – تخصیص عناصر مدار به مکان های روی قطعه پرداخته می شود. مسئله آرایش عبارت است از مجموعه ای از عناصر مدار یا ورودی های m، { e m و...، e 1} = M و مجموعه ای از سیگنال ها یا شبکه های n، { Sn و...، S1 } = N. شبکه عبارت است از مجموعه ای از مدال های به هم متصل. ما علاوه براین مجموعه ای از مکان های قطعه L یا Slot را ارائه خواهیم داد. وقتی L≥m است، { Cl و...، C1 } = L. Solt ها به صورت یک ماتریس همراه با ردیف های r و ستون های C سازمان دهی می شوند. هدف از این، طراحی بهینه و مطلوب هر مدول متناسب با Solt خود آن در حالی که محدودیت های الکتریکی را تحقق می بخشد می باشد. در این وضعیت بهینگی و مطلوبیت بر اساس مسیریابی مورد انتظار آرایش اندازه گیری می شود. دو مؤلفه مشترک بسیاری از اندازه های مسیریابی عبارت است از برآورد میزان تراکم سیم و میزان سیم مورد نیاز برای مسیر تمام اتصالات و ارتباطات. به حداقل رساندن میزان تراکم سیم مورد انتظار اهمیت دارد به گونه ای که یک سیم کشی عملی معمولاً با تراکم کمتر راحتر است. کم کردن میزان مورد انتظار سیم نیز اهمیت دارد. به گونه ای میزان آماده سازی سیگنال مدار معمولاً نسبت معکوس با میزان سیم دارد.
اشرشیا کولی نوترکیب برای تولید مشترک هیدروژن و پلی هیدروکسی بوتیرات (PHB) ساخته می شود که بواسطه رشد سریع آن و راحتی دستکاری ژنتیکی آن است. بویژه مسیرهای متابولیک بی هوازی اختصاص یافته به تولید مشترک هیدروژن و PHB که بواسطه مزایای جریان های مستقیم از ترکیبات سمی مانند فورمات و استات ایجاد می شوند از محصولات مفیدی می باشند. در اینجا ای.کولی نوترکیب هیدروژناز 3 و یا سنتز استیل-CoA نشان دهنده تولید PHB پیشرفته و هیدروژن هنگام رشد با یا بدون استات بعنوان منبع کربن است. هنگامی که هیدروژناز 3 بیش از حد بیان می شود، محصول هیدروژن از 14 به 153 mmol H2/mol گلوکز در واسطه نمک معدنی (MS) با گلوکز بعنوان منبع کربن افزایش می یابد، که همراه با محصول PHB افزایش یافته از 0.55 به 5.34 mg PHB/g گلوکز در واسطه MS با گلوکز و استات بعنوان منبع کربن است.
PHB، تولید هیدروژن، هیدروژناز 3، بیولوژی سنتزی، مهندسی متابولیک، اشرشیا کولی.
هیدروژن به عنوان منبع انرژی ثانویه تجدید شدنی، مناسب و تمیز، توجه زیادی را به خود جلب نموده است (مدا و همکاران، 2011، اوه و همکاران، 2011، ژنگ، 2011). تولید بیولوژیکی هیدروژن بواسطه ماهیت انعطاف پذیر و دوستدار محیط آن در مقایسه با روش های ترموشیمیایی اهمیت بسیاری پیدا کرده است (داس و وزیروگلوب، 2008). اشتریا کولی یک میکرو ارگانیسم شناخته شده با گروهی از ابزار ساده موجود برای دستکاری ژنتیکی و تنظیم فیزیولوژیکی است، که پتانسیل و فواید خود را برای تولید هیدروژن تخمیری نشان داده است (کلومبرگ و گونزالز، 2010، هالنبک، 2005). مهندسی متابولیک برای افزایش تولید هیدروژن با استفاده از ژن های موثرتر و پاکسازی مسیرهای رقابتی در ای.کولی بکار می رود (مدا و همکاران، 2008، یوشیدا و همکاران، 2006، یوشیدا و همکاران، 2007).
در سیستم های قدرت پیشرفته انرژی الکتریکی توسط ژنراتورهای سه فاز تولید می شود که پس از انتقال به صورت سه فاز توزیع می شود. به دلایل اقتصادی از ایستگاه تا مصرف ولتاژ چندین بار افزایش و کاهش می یابد.در هر باز افزایش و کاهش ولتاژ ت سه فاز موردنیاز است. بدین جهت در سیستم های قدرت سه فاز از تعداد زیادی ترانسفورماتور سه فاز استفاده می شود. برای هر تبدیل ولتاژ از مقداری به مقدار دیگر ممکن است از سه واحد ترانسفورماتور تک فاز یا یک واحد ترانسفورماتور سه فاز استفاده شود. در ترانسفورماتورهای قدرت و توزیع جریان تحریک تنها درصد کوچکی (2 تا 6%) از جریان نامی است.
پدیده هارمونیک در ترانسفورماتورهای قدرت بسیار مهم است. زیرا تحت شرایط معینی هارمونیک های جریان تحریک باعث عمل عمدی تجهزات حفاظتی می گردند ممکن است باعث تداخل در مدارهای مخابراتی شوند. نظر به این مسئله مهندسین مخابرات و سیستم انرژی باید قادر به بررسی و حذف چنین شرایط باشند. از این رو هارمونیک در ترانسفورماتور از اهمیت ویژه ای برخوردار است. اولین مورد از مشکلات اعوجاجات هارمونیکی در سال 1893 در شهر هارتفورد امریکا پیش آمد، به این صورت که یک موتور الکتریکی با گرم شدن زیاد باعث خرابی عایقبندی خود شد. پس از آزمایشات معلوم شد که علت این امر تشدید ایجاد شده در خط انتقال، ناشی از وجود هارمونیکها بوده است. مشکل بعدی، یک ژنراتور سه فاز 125 هرتز با ولتاژ 8/3 کیلوولت ساخت شرکت جنرال الکتریک امریکا بود. در این موردهمه محاسبات با تقریبهای خوبی انجام شده بودولی بازهم تشدید در خط انتقال بود. با محاسبه اندوکتانس و ظرفیت خازنی خط انتقال و احتمالاً اندوکتانس بار، مشاهده شد که در فرکانس حدود 1600 هرتز (هارمونیک سیزدهم) در خط تشدید ایجاد می شود.شکل موجهای ولتاژ ژنراتور نیروگاه و موتور سنکرون دارای مؤلفه های هارمونیکی قابل توجه بودند. این فرایند محاسبات واندازه گیری توسط یک موج نمای ساده در آن سال انجام شد که شکل موج را به صورت نقطه به نقطه از طریق قطع و وصل مرتب یک زبانه، نمونه گیری می کرد. امروزه با استفاده از هارمونیک سنجهای دیجیتال و با بکارگیری الگوریتم های سریع ‘ تبدیل فوریه گسسته ‘ می توان به صورت بدون وقفه اعوجاجات هارمونیکی را اندازه گیری کرد. دو سال بعداز اولین مورد مشاهده مشکلات هارمونیکی، شرکتهای وستینگهاوس و جنرال الکتریک، طرحهای جدیدی را برای ژنراتورها معرفی نمودند که در این طرح ها، از سیم پیچهای غیر متمرکز در آرمیچر استفاده کردند و به تبع آن شکل موج را بهبود بخشیده و به اصطلاح سینوسی تر کردند. مشکل دیگر هارمونیکها در شکل موج ژنراتورها، مربوط به جریان بسیار زیاد نول ژنراتورهایی بود که به صورت موازی نصب و مستقیماً زمین می شدند. امروزه این مساله کاملاً شناخته شده است و مربوط به هارمونیک سوم ولتاژ و صفر بودن توالی این هارمونیک در ماشینهایی می باشد که به صورت ستاره بسته شده اند.
مقدمه 1
1-1 مقدمه 7
2-1 تعریف ترانسفورماتور 7
3-1 اصول اولیه 7
4-1 القاء متقابل 7
5-1 اصول کار ترانسفورماتور 9
6-1 مشخصات اسمی ترانسفورماتور 12
1-6-1 قدرت اسمی 12
2-6-1 ولتاژ اسمی اولیه 12
3-6-1 جریان اسمی 12
4-6-1 فرکانس اسمی 12
5-6-1 نسبت تبدیل اسمی 13
7-1 تعیین تلفات در ترانسفورماتورها 13
1-7-1 تلفات آهنی 13
2-7-1 تلفات فوکو در هسته 13
3-7-1 تلفات هیسترزیس 14
4-7-1 مقدار تلفات هیسترزیس 16
5-7-1 تلفات مس 16
8-1 ساختمان ترانسفورماتور 17
1-8-1 مدار مغناطیسی (هسته) 17
2-8-1 مدار الکتریکی (سیم پیچها) 17
1-2-8-1 تپ چنجر 18
2-2-8-1 انواع تپ چنجر 18
3-8-1 مخزن روغن 19
مخزن انبساط 19
4-8-1 مواد عایق 19
الف – کاغذهای عایق 20
ب – روغن عایق 20
ج – بوشینکهای عایق 20
5-8-1 وسایل حفاظتی 21
الف – رله بوخهلتس 21
ب – رله کنترل درجه حرارت سیم پیچ 22
ج – ظرفیت سیلی گاژل 23
9-1 جرقه گیر 24
1-10 پیچ ارت 24
1-2 مقدمه 27
2-2 منحنی مغناطیس شوندگی 27
3-2 پس ماند (هیسترزیس) 30
4-2 تلفات پس ماند (تلفات هیسترزیس) 32
5-2 تلفات هسته 32
6-2 جریان تحریک 33
7-2 پدیده تحریک در ترانسفورماتورها 33
8-2 تعریف و مفهوم هارمونیک ها 36
1-8-2 هارمونیک ها 36
2-8-2 هارمونیک های میانی 37
9-2 ناپایداری هارمونیکی مرتبط با هسته ترانس در سیستمهای AC-DC 37
10-2 واکنشهای فرکانسی AC-DC 37
11-2 چگونگی ایجاد ناپایداری 39
12-2 تحلیل ناپایداری 40
13-2 کنترل ناپایداری 41
14-2 جریان مغناطیس کننده ترانسفورماتور 42
1-14-2 عناصر قابل اشباع 42
2-14-2 وسایل فرومغناطیسی 43
1-3 مقدمه 47
2-3 مروری بر تعاریف اساسی 47
3-3 اعوجاج هارمونیکها در نمونه هایی از شبکه 49
4-3 اثرات هارمونیک ها 51
5-3 نقش ترمیم در سیستمهای قدرت با استفاده از اثر خازنها 52
1-5-3 توزیع هارمونیکهای جریان در یک سیستم قدرت بدون خازن 52
2-5-3 توزیع هارمونیکهای جریان در یک سیستم پس از نصب خازن 52
6-3 رفتار ترانسفورماتور در اثر هارمونیکهای جریان 54
7-3 عیوب هارمونیکها در ترانسفورماتور 54
1-7-3 هارمونیکهای جریان 54
1) اثر بر تلفات اهمی 54
2) تداخل الکترومغناطیسی با مدارهای مخابراتی 54
3) تأثیر بر روی تلفات هسته 55
2-7-3 هارمونیک های ولتاژ 55
1) تنش ولتاژ روی عایق 55
2) تداخل الکترواستاتیکی در مدارهای مخابراتی 55
3) ولتاژ تشدید بزرگ 56
8-3 حذف هارمونیکها 56
1) چگالی شار کمتر 56
2) نوع اتصال 57
3) اتصال مثلث سیم پیچی اولیه یا ثانویه 57
4) استفاده از سیم پیچ سومین 57
5) ترانسفورماتور ستاره – مثلث زمین 57
9-3 طراحی ترانسفورماتور برای سازگاری با هارمونیک ها 58
10-3 چگونگی تعیین هارمونیکها 59
11-3 اثرات هارمونیکهای جریان مرتبه بالا روی ترانسفورماتور 59
12-3 مفاهیم تئوری 60
1-12-3 مدل سازی 60
13- 3 نتایج عمل 61
14-3 راه حل ها 62
15-3 نتیجه گیری نهایی 62
1-4 مقدمه 64
2-4- پدیده هارمونیک در ترانسفورماتور سه فاز 64
3-4 اتصال ستاره 68
1-3-4 ترانسفورماتورهای با مدار مغناطیسی مجزا و مستقل 68
2-3-4 ترانسفورماتورها با مدار مغناطیسی پیوسته یا تزویج شده 71
4-4 اتصال Yy ستاره با نقطه خنثی 72
5-4 اتصال Dy 72
6-4 اتصال yd 73
7-4 اتصال Dd 74
8-4 هارمونیک های سوم در عمل ترانسفورماتور سه فاز 74
9-4 سیم پیچ ثالثیه یا پایدارکننده 76
10-4 تلفات هارمونیک در ترانسفورماتور 77
1-10-4 تلفات جریان گردابی در هادی های ترانسفورماتور 77
2-10-4 تلفات هیسترزیس هسته 77
3-10-4 تلفات جریان گردابی در هسته 78
4-10-4 کاهش ظرفیت ترانسفورماتور 79
1-5 مقدمه 81
2-5 راکتور کنترل شده با تریستور TCR 81
1-2-5 ترکیب TCR و خازنهای ثابت موازی 87
3-5 راکتور اشباع شدهSCR 88
1-3-5 شیب مشخصه ولتاژ 89
نتیجه گیری 91
منابع و مآخذ 92
چکیده به زبان انگلیسی 94
شکل1-1: نمایش خطوط شار 8
شکل2-1: شمای کلی ترانسفورماتور 9
شکل3-1: رابطه فوران و نیروی محرکه مغناطیسی 11
شکل4-1: نمایش منحنی های هیستر زیس 15
شکل5-1: نمایش بوشیگ های عایق 20
شکل6-1: یک نمونه رله 22
شکل7-1: رله کنترل درجه حرارت سیم پیچ ها 23
شکل8-1: ظرف سیلی کاژل 23
شکل9-1: شمای کلی یک ترانسفورماتور با مخزن روغن و سیستم جرقه گیر 24
شکل10-1: نمایش پیچ ارت 25
شکل1-2: نمایش شدت جریان در هسته چنبره شکل 28
شکل2-2: منحنی مغناطیس شوندگی 29
شکل3-2: منحنی مغناطیس شوندگی 29
شکل4-2: منحنی های هیستر زیس 31
شکل5-2: حلقه های ایستا و پویا 32
شکل6-2: شکل موج جریان مغناطیس کننده 34
شکل7-2: شکل موج جریان تحریک با پسماند 35
شکل8-2: شکل موج شار برای جریان مغناطیس کننده سینوسی 36
شکل9-2: نمایش هارمونیک های توالی مثبت و منفی 38
شکل10-2: ترکیبdc توالی منفی تولید شده توسط مبدلHVDC 39
شکل11-2: نمایش امپدانس هایAC,DC در روش سیستم حوزه فرکانس 40
شکل12-2: مقایسه حالات مختلف اشباع 41
شکل13-2: مشخصه مغناطیسی ترانسفورماتور 42
شکل14-2: جریان مغناطیس کننده ترانس و محتوای هارمونیکی آن 43
شکل15-2: مدار معادلT برای یک ترانسفورماتور 44
شکل16-2: منحنی شار مغناطیسی برحسب جریان ترانسفورماتور 44
شکل17-2: نمونه شکل موج جریان مغناطیسی برای یک ترانسفورماتور 44
شکل1-3: مولدهای هارمونی جریان 47
شکل2-3: هارمونیک پنجم با ضریب35% 48
شکل3-3: طیف هارمونیک ها 50
شکل4-3: جریان تحمیل شده روی جریان اصلی 50
شکل5-3: طیف هارمونیک ها 50
شکل6-3: جریان تحمیل شده روی جریان اصلی 50
شکل7-3: مسیر هارمونیکی جریان در سیستم بدون خازن 52
شکل8-3: مسیر هارمونی های جریان در سیستم پس از نصب خازن 53
شکل9-3: تداخل الکترو استاتیکی با مدارهای مغناطیسی 55
شکل10-3: ولتاژ تشدید بزرگ در اثر هارمونیک سوم 56
شکل11-3: ترانسفورماتور ستاره مثلث زمین، برای حذف هارمونیک های مضرب3 58
شکل12-3: طراحی ترانسفورماتور برای سازگاری با هارمونیک ها 58
شکل13-3: مدار معادل ساده شده سیم پیچ ترانسفورماتور 60
شکل14-3: توزیع ولتاژ در طول یک سیم پیچ 61
شکل1-4: نمودار برداری ولتاژهای مؤلفه اصلی، سوم، پنجم و هفتم 65
شکل2-4: نمودار برداری ولتاژهای اصلی، هارمونیک پنجم وهفتم 66
شکل3-4: نمایش نیروی محرکه الکتریکیemf اتصال ستاره در هر لحظه 66
شکل4-4:نمایش هارمونیک های سوم در اتصال مثلث 66
شکل5-4: مربوط به نوسان نقطه خنثی 70
شکل6-4: مسیر پارهای هارمونیک سوم (مضرب سه) در ترانسفورماتورهای سه فاز
نوع هسته ای 71
شکل7-4: ترانسفورماتور با اتصالY-yبدون بار 75
شکل8-4: سیم پیچ سومین (ثالثیه) 77
شکل1-5: ساختمان شماتیکTCR 81
شکل2-5: منحنی تغییرات بر حسب زاویه هدایت و زاویه آتش 83
شکل3-5: مشخصه ولتاژ- جریانTCR 84
شکل4-5: یک نمونه صافی با استفاده ازL.C 85
شکل5-5: حذف هارمونیک سوم با استفاده از مدارTCR با اتصال ستاره 86
شکل6-5: حدف هارمونیک های پنجم وهفتم با استفاده از مدار TCR با اتصال ستاره 86
شکل7-5: بررسی اختلال در شبکه قدرت قبل و بعد از استفاده از جبران کننده با خازن 87
شکل8-5: منحنی مشخصه ولتاژ- جریانSR 88
شکل9-5: حذف هارمونیک های شبکه قدرت با استفاده از راکتور اشباع شدهSR 88
شکل10-5: منحنی مشخصه ولتاژ- جریانSR با خازن اصلاح شیب 89
شکل 11-5: حذف هارمونیکهای شبکه قدرت با استفاده از راکتور اشباع شده SR 89
شکل 12-5: منحنی مشخصه ولتاژ – جریان SR با خازن اصلاح شیب 90
جدول1-2: مقادیر هارمونیک ها در جریان مغناطیسی یک ترانسفورماتور 45